SLD超辐射发光二极管 SLED超辐射发光二极管 OCT成像

超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）的独特特性是与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。超辐射发光二极管（SLD）在几何形状上与激光器类似，但是没有内置的LD反射机制用于受激发射以实现激光。与LD相比，超辐射发光二极管（SLD）操作的主要区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。超辐射发光二极管（SLD）具有与LED相似的结构特征，通过降低刻面的反射率来抑制激光作用。超辐射发光二极管（SLD）本质上是高度优化的LED。虽然超发光二极管（SLD）像低电流水平的LED一样工作，但是它们的输出功率在高电流下也是超线性地增加。用于表征超辐射发光二极管（SLD）的六个关键参数：（1）输出功率;（2）光学增益; （3）ASE频谱带宽或3dB带宽; （4）频谱调制深度或纹波; （5）相干长度; 和（6）相干函数。

超辐射发光二极管（Superluminescent Diode, SLD）的特性介于激光二极管（Laser Diode, LD）和发光二极管（Light Emission Diode, LED）之间，是利用半导体超辐射发光的宽带半导体光源。该器件结构与LD类似，包含一个电流驱动的p-n结和一个光波导。但是非常重要的一点不同是，SLD不存在反射形成的光学反馈，因此不会产生激光。SLD主要应用在需要低的时间相干性和高的空间相干性、相对强度较高光源的领域，例如，光学相干断层扫描、干涉仪、光学测量和光纤传感器（例如光纤陀螺仪、光纤电流计等）中。