低偏置电压，适用于800 nm波段

这是一款800nm近红外波段硅APD，可以工作在200V或更低的低偏置电压下。适用于FSO（Free Space Optics，自由空间光学）和光学测距仪等应用中。

特性：

--低偏置电压下稳定工作

--高速响应

--高灵敏度和低噪声

类型	近红外型（低偏置）
感光面积	φ0.5 mm
封装	金属
封装类型	TO-18
峰值波长（典型值）	800 nm
光谱响应范围（最小值）	400 to 1000 nm
灵敏度（典型值）	0.5 A/W
暗电流（最大值）	1 nA
截止频率（典型值）	900 MHz
结电容（典型值）	2 pF
击穿电压（典型值）	150 V
击穿电压温度系数（典型值）	0.65 V/℃
增益（典型值）	100
测试条件	Ta=25 ℃，除非特别说明，均为典型值，灵敏度: λ=800 nm，M=1